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图片信息
DMC1030UFDB-13图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:DMC1030UFDB-13
  • 原始制造厂商:Diodes,美台半导体
  • 技术标准参数:MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 点击此处下载DMC1030UFDB-13的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:DMC1030UFDB-13
  • 制造商:Diodes Incorporated
  • 描述:MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 产品系列:Automotive, AEC-Q101
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 和 P 沟道互补型
  • FET功能:标准
  • 漏源电压(Vdss):12V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):5.1A(Ta),3.9A(Ta)
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):34 毫欧 @ 4.6A,4.5V,59 毫欧 @ 3.6A,4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):12.2nC @ 4.5V,13nC @ 4.5V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1003pF @ 6V,1028pF @ 6V
  • 功率-最大值:1.36W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:6-UDFN
  • DMC1030UFDB-13均从Diodes代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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