深圳市南皇电子有限公司长期提供DMG3N60SJ3（品牌: Diodes）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：DMG3N60SJ3制造商：Diodes Incorporated描述：MOSFET N-CH 650V 2.8A TO251系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：Automotive, AEC-Q101零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：650V25°C时电流-连续漏极(Id)：2.8A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.5 欧姆 @ 1.5A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：12.6nC @ 10VVgs（最大值）：±30V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：354pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：41W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：TO-251DMG3N60SJ3均从Diodes代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
