深圳市南皇电子有限公司长期提供DMG4N65CT（品牌: Diodes）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：DMG4N65CT制造商：Diodes Incorporated描述：MOSFET N CH 650V 4A TO220-3系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：停产FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：650V25°C时电流-连续漏极(Id)：4A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3 欧姆 @ 2A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：13.5nC @ 10VVgs（最大值）：±30V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：900pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：2.19W（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：TO-220-3DMG4N65CT均从Diodes代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
