深圳市南皇电子有限公司长期提供DMG6602SVT-7(品牌: Diodes)充足现货订购、免费样品
技术参数详解:
制造商产品型号:DMG6602SVT-7制造商:Diodes Incorporated描述:MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品系列:-零件状态:不適用於新設計FET类型:N 和 P 沟道FET功能:逻辑电平栅极,4.5V 驱动漏源电压(Vdss):30V25°C时电流-连续漏极(Id):3.4A,2.8A不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):60 毫欧 @ 3.1A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):13nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):400pF @ 15V功率-最大值:840mW工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6DMG6602SVT-7均从Diodes代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!