深圳市南皇电子有限公司长期提供DMN2009LSS-13（品牌: Diodes）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：DMN2009LSS-13制造商：Diodes Incorporated描述：MOSFET N-CH 20V 12A 8SOP系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：20V25°C时电流-连续漏极(Id)：12A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：8 毫欧 @ 12A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：58.3nC @ 10VVgs（最大值）：±12V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2555pF @ 10VFET功能：-功率耗散（最大值）：2W（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：8-SOPDMN2009LSS-13均从Diodes代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
