深圳市南皇电子有限公司长期提供DMN2014LHAB-7（品牌: Diodes）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：DMN2014LHAB-7制造商：Diodes Incorporated描述：MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：-零件状态：有源FET类型：2 N 沟道（双）共漏FET功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）：20V25°C时电流-连续漏极(Id)：9A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：13 毫欧 @ 4A，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：16nC @ 4.5V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1550pF @ 10V功率-最大值：800mW工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：6-UFDFNDMN2014LHAB-7均从Diodes代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
