DMN2450UFB4-7R（Diodes）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：DMN2450UFB4-7R

原始制造厂商：Diodes，美台半导体

技术标准参数：MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

点击此处下载DMN2450UFB4-7R的原厂技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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技术参数详解：

制造商产品型号：DMN2450UFB4-7R

制造商：Diodes Incorporated

描述：MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：-

零件状态：有源

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：20V

25°C时电流-连续漏极(Id)：1A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：400 毫欧 @ 600mA，4.5V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：900mV @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：1.3nC @ 10V

Vgs（最大值）：±12V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：56pF @ 16V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：500mW（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

器件封装：X2-DFN1006-3

DMN2450UFB4-7R均从Diodes代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！

Diodes

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