深圳市南皇电子有限公司长期提供DMN62D1LFDQ-13（品牌: Diodes）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：DMN62D1LFDQ-13制造商：Diodes Incorporated描述：MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN T&R 1系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：Automotive, AEC-Q101零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：60V25°C时电流-连续漏极(Id)：400mA（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.5V，4V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2 欧姆 @ 100mA，4V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：0.55nC @ 4.5VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：36pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：500mW工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：U-DFN1212-3DMN62D1LFDQ-13均从Diodes代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
