深圳市南皇电子有限公司长期提供DMT10H072LFV-13（品牌: Diodes）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：DMT10H072LFV-13制造商：Diodes Incorporated描述：MOSFET N-CH 100V PWRDI3333系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：100V25°C时电流-连续漏极(Id)：4.7A（Ta），20A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：62 毫欧 @ 4.5A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：4.5nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：228pF @ 50VFET功能：-功率耗散（最大值）：2W（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：PowerDI3333-8（UX 类）DMT10H072LFV-13均从Diodes代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
