深圳市南皇电子有限公司长期提供DMT12H065LFDF-7（品牌: Diodes）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：DMT12H065LFDF-7制造商：Diodes Incorporated描述：MOSFET N-CH 115V 4.3A 6UDFN系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：115V25°C时电流-连续漏极(Id)：4.3A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：3V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：65 毫欧 @ 3A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：5.5nC @ 10VVgs（最大值）：±12V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：252pF @ 50VFET功能：-功率耗散（最大值）：1W（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：U-DFN2020-6（F 类）DMT12H065LFDF-7均从Diodes代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
