DMTH6016LPDQ-13（Diodes）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：DMTH6016LPDQ-13

技术标准参数：MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

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技术参数详解：

制造商产品型号：DMTH6016LPDQ-13

制造商：Diodes Incorporated

描述：MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

产品系列：Automotive, AEC-Q101

零件状态：有源

FET类型：2 N-通道（双）

FET功能：标准

漏源电压（Vdss）：60V

25°C时电流-连续漏极(Id)：9.2A（Ta），33.2A（Tc）

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：19 毫欧 @ 10A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：17nC @ 10V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：864pF @ 30V

功率-最大值：2.5W（Ta），37.5W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：8-PowerTDFN

DMTH6016LPDQ-13均从Diodes代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！

Diodes

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