DXT2011P5Q-13（Diodes）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：DXT2011P5Q-13

技术标准参数：PWR LOW SAT TRANSISTOR PDI5

产品应用分类：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

现货供应，最快当日出货，满足您从研发到批量生产的所有大小批量采购需求！

技术参数详解：

制造商产品型号：DXT2011P5Q-13

制造商：Diodes Incorporated

描述：PWR LOW SAT TRANSISTOR PDI5

系列：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

产品系列：Automotive, AEC-Q101

零件状态：停产

晶体管类型：NPN

电流-集电极(Ic)（最大值）：6A

电压-集射极击穿（最大值）：100V

不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降（最大值）：220mV @ 500mA，5A

电流-集电极截止（最大值）：20nA（ICBO）

不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：100 @ 2A，2V

功率-最大值：3.2W

频率-跃迁：130MHz

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：PowerDI? 5

DXT2011P5Q-13均从Diodes代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！

Diodes

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