深圳市南皇电子有限公司长期提供ZXMN3A06DN8TC（品牌: Diodes）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：ZXMN3A06DN8TC制造商：Diodes Incorporated描述：MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：-零件状态：停产FET类型：2 N-通道（双）FET功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：4.9A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：35 毫欧 @ 9A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA（最小）不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：17.5nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：796pF @ 25V功率-最大值：1.8W工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）ZXMN3A06DN8TC均从Diodes代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
