深圳市南皇电子有限公司长期提供ZXMN6A09DN8TA（品牌: Diodes）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：ZXMN6A09DN8TA制造商：Diodes Incorporated描述：MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：-零件状态：有源FET类型：2 N-通道（双）FET功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）：60V25°C时电流-连续漏极(Id)：4.3A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：40 毫欧 @ 8.2A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：24.2nC @ 5V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1407pF @ 40V功率-最大值：1.25W工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）ZXMN6A09DN8TA均从Diodes代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
