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图片信息
ZXTD6717E6QTA图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:ZXTD6717E6QTA
  • 原始制造厂商:Diodes,美台半导体
  • 技术标准参数:SS LOW SAT TRANSISTOR SOT26
  • 产品应用分类:晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
  • 点击此处下载ZXTD6717E6QTA的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:ZXTD6717E6QTA
  • 制造商:Diodes Incorporated
  • 描述:SS LOW SAT TRANSISTOR SOT26
  • 系列:晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
  • 零件状态:有源
  • 晶体管类型:NPN,PNP
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):1.5A,1.25A
  • 电压-集射极击穿(最大值):15V,12V
  • 不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降(最大值):245mV @ 20mA,1.5A / 240mV @ 100mA,1.25A
  • 电流-集电极截止(最大值):10nA
  • 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)(最小值):300 @ 100mA,2V
  • 功率-最大值:1.1W
  • 频率-跃迁:180MHz,220MHz
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:SOT-23-6
  • ZXTD6717E6QTA均从Diodes代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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