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图片信息
FDMS3626S图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:FDMS3626S
  • 原始制造厂商:Fairchild,仙童,飞兆
  • 技术标准参数:MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/25A 8PQFN
  • 产品应用分类:场效应管阵列
  • 点击此处下载FDMS3626S的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:FDMS3626S
  • 制造厂家名称:Fairchild 仙童半导体(已被ON安森美收购)
  • 描述:MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/25A 8PQFN
  • 系列:PowerTrench
  • FET 类型:2 N 沟道(双)非对称型
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):25V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):17.5A,25A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):5 毫欧 @ 17.5A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):26nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1570pF @ 13V
  • 功率 - 最大值:1W
  • 安装类型:表面贴装
  • 产品封装:8-PowerTDFN
  • 供应商器件封装:8-PQFN(5x6), Power56
  • FDMS3626S均从Fairchild代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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