深圳市南皇电子有限公司长期提供HGT1S10N120BNS（品牌: Fairchild）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：HGT1S10N120BNS制造厂家名称：Fairchild 仙童半导体（已被ON安森美收购）描述：IGBT 1200V 35A 298W TO263AB系列：-IGBT 类型：NPT电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：35ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：80A不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.7V @ 15V，10A功率 - 最大值：298WSwitching Energy：320μJ （开）， 800μJ （关）输入类型：标准Gate Charge：100nC25°C 时 Td（开/关）值：23ns/165nsTest Condition：960V, 10A, 10 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr)：-产品封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB安装类型：表面贴装供应商器件封装：TO-263ABHGT1S10N120BNS均从Fairchild代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
