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图片信息
SI4435DY图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:SI4435DY
  • 原始制造厂商:Fairchild,仙童,飞兆
  • 技术标准参数:MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
  • 产品应用分类:单端场效应管
  • 点击此处下载SI4435DY的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:SI4435DY
  • 制造厂家名称:Fairchild 仙童半导体(已被ON安森美收购)
  • 描述:MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
  • 系列:PowerTrench
  • FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):8.8A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):20 毫欧 @ 8.8A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):24nC @ 5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1604pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:1W
  • 安装类型:表面贴装
  • 产品封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOIC N
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