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图片信息
AFT09S200W02NR3图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:AFT09S200W02NR3
  • 原始制造厂商:Freescale,飞思卡尔
  • 技术标准参数:TRANSISTOR RF LDMOS 4W PLD
  • 产品应用分类:RF FET
  • 点击此处下载AFT09S200W02NR3的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号: AFT09S200W02NR3
  • 制造厂家名称:Freescale 飞思卡尔半导体(已被NXP恩智浦收购)
  • 功能总体简述: TRANSISTOR RF LDMOS 4W PLD
  • 系列: -
  • 晶体管类型: LDMOS
  • 电压 - 集射极击穿(最大值): -
  • 频率: 960MHz
  • 增益: 19.2dB
  • 频率 - 跃迁: -
  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): -
  • 电压 - 测试: 28V
  • 额定电流: -
  • 功率 - 最大值: -
  • 噪声系数: -
  • 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): -
  • 电流 - 测试: 1.4A
  • 功率 - 输出: 56W
  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值): -
  • 安装类型: -
  • 电压 - 额定: 70V
  • 产品封装: OM-780-2
  • 供应商器件封装:
  • AFT09S200W02NR3均从Freescale代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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