深圳市南皇电子有限公司长期提供GA10SICP12-263（品牌: GeneSiC）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：GA10SICP12-263制造商：GeneSiC Semiconductor描述：TRANS SJT 1200V 25A D2PAK系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：-技术：SiC（碳化硅结晶体管）漏源电压（Vdss）：1200V25°C时电流-连续漏极(Id)：25A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：100 毫欧 @ 10A不同Id时Vgs(th)（最大值）：-不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-Vgs（最大值）：-不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1403pF @ 800VFET功能：-功率耗散（最大值）：170W（Tc）工作温度：175°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：D2PAK（7-Lead）GA10SICP12-263均从GeneSiC代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
