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图片信息
H9TKNNN1GDAPLR-NYM图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:H9TKNNN1GDAPLR-NYM
  • 原始制造厂商:Hynix,海力士
  • 技术标准参数:LPDDR2 1Gb BGA
  • 产品应用分类:LPDDR2
  • 点击此处下载H9TKNNN1GDAPLR-NYM的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 型号:H9TKNNN1GDAPLR-NYM

    容量:1Gb

    速度:DDR2-667

    封装:FBGA(168ball)

    ORG:32M x32

    特性:8Bank, 1.8V/1.2V/1.2V

    量产:Now

    类别:LPDDR2

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