深圳市南皇电子有限公司长期提供IRF6655TR1PBF（品牌: IR）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：IRF6655TR1PBF制造厂家名称：IR（International Rectifier）已被英飞凌INFINEON收购描述：MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET系列：HEXFETFET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：100V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4.2A（Ta），19A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：62 毫欧 @ 5A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.8V @ 25μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：11.7nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：530pF @ 25V功率 - 最大值：2.2W安装类型：表面贴装产品封装：DirectFET 等容 SH供应商器件封装：DIRECTFET SHIRF6655TR1PBF均从IR代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
