深圳市南皇电子有限公司长期提供IRFHM8363TRPBF（品牌: IR）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：IRFHM8363TRPBF制造厂家名称：IR（International Rectifier）已被英飞凌INFINEON收购描述：MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN系列：HEXFETFET 类型：2 个 N 沟道（双）FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：11A不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：14.9 毫欧 @ 10A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 25μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：15nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1165pF @ 10V功率 - 最大值：2.7W安装类型：表面贴装产品封装：8-PowerVDFN供应商器件封装：8-PQFN（3.3x3.3）， Power33IRFHM8363TRPBF均从IR代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
