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图片信息
IRFS17N20D图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:IRFS17N20D
  • 原始制造厂商:IR,国际整流器
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
  • 产品应用分类:单端场效应管
  • 点击此处下载IRFS17N20D的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:IRFS17N20D
  • 制造厂家名称:IR(International Rectifier)已被英飞凌INFINEON收购
  • 描述:MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
  • 系列:HEXFET
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):200V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):16A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):170 毫欧 @ 9.8A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):50nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1100pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:3.8W
  • 安装类型:表面贴装
  • 产品封装:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商器件封装:D2PAK
  • IRFS17N20D均从IR代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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