深圳市南皇电子有限公司长期提供IRLHM630TR2PBF（品牌: IR）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：IRLHM630TR2PBF制造厂家名称：IR（International Rectifier）已被英飞凌INFINEON收购描述：MOSFET N-CH 30V 21A PQFN系列：HEXFETFET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：21A（Ta），40A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.5 毫欧 @ 20A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 50μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：62nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3170pF @ 25V功率 - 最大值：2.7W安装类型：表面贴装产品封装：8-VQFN 裸露焊盘供应商器件封装：PQFN（3x3）IRLHM630TR2PBF均从IR代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
