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图片信息
IX4R11S3图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:IX4R11S3
  • 原始制造厂商:IXYS
  • 技术标准参数:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
  • 产品应用分类:电源管理IC - 栅极驱动器
  • 点击此处下载IX4R11S3的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:IX4R11S3
  • 制造商:IXYS(IXYS已被Littelfuse收购)
  • 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
  • 产品系列:电源管理IC - 栅极驱动器
  • 包装:散装
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 驱动配置:半桥
  • 通道类型:独立式
  • 驱动器数:2
  • 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET
  • 电压-供电:10V ~ 35V
  • 逻辑电压?-VIL,VIH:6V,7V
  • 电流-峰值输出(灌入,拉出):4A,4A
  • 输入类型:非反相
  • 高压侧电压-最大值(自举):650V
  • 上升/下降时间(典型值):23ns,22ns
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:16-SOIC(0.295,7.50mm 宽)
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