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图片信息
IXA70R1200NA图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:IXA70R1200NA
  • 原始制造厂商:IXYS
  • 技术标准参数:DISC IGBT XPT-GENX3 SOT-227B(MIN
  • 产品应用分类:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 点击此处下载IXA70R1200NA的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:IXA70R1200NA
  • 制造商:IXYS(IXYS已被Littelfuse收购)
  • 描述:DISC IGBT XPT-GENX3 SOT-227B(MIN
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:XPT?
  • 零件状态:有源
  • IGBT类型:PT
  • 电压-集射极击穿(最大值):1200V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):100A
  • 电流-集电极脉冲(Icm):-
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,50A
  • 功率-最大值:350W
  • 开关能量:4.5mJ(开),5.5mJ(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:190nC
  • 25°C时Td(开/关)值:70ns/250ns
  • 测试条件:600V,50A,15 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr):-
  • 工作温度:-
  • 安装类型:底座安装
  • 封装:SOT-227-4,miniBLOC
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