IXFA3N120TRL（IXYS）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：IXFA3N120TRL

原始制造厂商：IXYS

技术标准参数：MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263

产品应用分类：FET - 单

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技术参数详解：

IXYS公司完整型号: IXFA3N120TRL

制造厂家名称: IXYS

功能总体简述: MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263

系列: HiPerFET?

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 1200V（1.2kV）

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 3A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 4.5 欧姆 @ 1.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 5V @ 1.5mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 39nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 1050pF @ 25V

功率 - 最大值: 200W

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商器件封装: TO-263

IXFA3N120TRL均从IXYS代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！

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