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图片信息
IXFA3N120TRL图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:IXFA3N120TRL
  • 原始制造厂商:IXYS
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
  • 产品应用分类:FET - 单
  • 点击此处下载IXFA3N120TRL的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • IXYS公司完整型号: IXFA3N120TRL
  • 制造厂家名称: IXYS
  • 功能总体简述: MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
  • 系列: HiPerFET?
  • FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能: 标准
  • 漏源极电压(Vdss): 1200V(1.2kV)
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 3A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 4.5 欧姆 @ 1.5A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 5V @ 1.5mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 39nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 1050pF @ 25V
  • 功率 - 最大值: 200W
  • 安装类型: 表面贴装
  • 封装/外壳: TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商器件封装: TO-263
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