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图片信息
IXGT32N60C图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:IXGT32N60C
  • 原始制造厂商:IXYS
  • 技术标准参数:IGBT 600V 60A 200W TO268
  • 产品应用分类:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 点击此处下载IXGT32N60C的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:IXGT32N60C
  • 制造商:IXYS(IXYS已被Littelfuse收购)
  • 描述:IGBT 600V 60A 200W TO268
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:HiPerFAST?, Lightspeed?
  • 零件状态:停产
  • IGBT类型:-
  • 电压-集射极击穿(最大值):600V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):60A
  • 电流-集电极脉冲(Icm):120A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,32A
  • 功率-最大值:200W
  • 开关能量:320μJ(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:110nC
  • 25°C时Td(开/关)值:25ns/85ns
  • 测试条件:480V,32A,4.7 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr):-
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:TO-268-3,D3Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
  • IXGT32N60C均从IXYS代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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