深圳市南皇电子有限公司长期提供IXTA1R6N100D2（品牌: IXYS）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：IXTA1R6N100D2制造商：IXYS（IXYS已被Littelfuse收购）描述：MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：1000V25°C时电流-连续漏极(Id)：1.6A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：10 欧姆 @ 800mA，0V不同Id时Vgs(th)（最大值）：-不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：27nC @ 5VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：645pF @ 25VFET功能：耗尽模式功率耗散（最大值）：100W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：TO-263（IXTA）IXTA1R6N100D2均从IXYS代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
