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图片信息
MKI100-12F8图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:MKI100-12F8
  • 原始制造厂商:IXYS
  • 技术标准参数:IGBT MODULE 1200V 125A 640W E3
  • 产品应用分类:晶体管 - IGBT - 模块
  • 点击此处下载MKI100-12F8的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:MKI100-12F8
  • 制造商:IXYS(IXYS已被Littelfuse收购)
  • 描述:IGBT MODULE 1200V 125A 640W E3
  • 系列:晶体管 - IGBT - 模块
  • 零件状态:有源
  • IGBT类型:NPT
  • 配置:全桥反相器
  • 电压-集射极击穿(最大值):1200V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):125A
  • 功率-最大值:640W
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):3.9V @ 15V,100A
  • 电流-集电极截止(最大值):1.3mA
  • 不同?Vce时输入电容(Cies):6.5nF @ 25V
  • 输入:标准
  • NTC热敏电阻:无
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
  • 安装类型:底座安装
  • 封装:E3
  • MKI100-12F8均从IXYS代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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