深圳市南皇电子有限公司长期提供AIHD10N60RFATMA1（品牌: Infineon）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：AIHD10N60RFATMA1制造商：Infineon Technologies描述：IC DISCRETE 600V TO252-3系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：有源IGBT类型：沟槽型场截止电压-集射极击穿（最大值）：600V电流-集电极(Ic)（最大值）：20A电流-集电极脉冲(Icm)：30A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，10A功率-最大值：150W开关能量：190μJ（开），160μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：64nC25°C时Td（开/关）值：12ns/168ns测试条件：400V，10A，26 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：-工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63AIHD10N60RFATMA1均从Infineon代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
