BG 3123R H6327（Infineon）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：BG 3123R H6327

原始制造厂商：Infineon，英飞凌

技术标准参数：MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363

产品应用分类：RF场效应管

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技术参数详解：

Infineon英飞凌公司完整型号：BG 3123R H6327

制造厂家名称：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363

系列：-

晶体管类型：2 N-通道（双）

频率：800MHz

增益：25dB

电压 - 测试：5V

额定电流：25mA，20mA

噪声系数：1.8dB

电流 - 测试：14mA

功率 - 输出：-

电压 - 额定：8V

封装/外壳：6-VSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装：PG-SOT363-6

BG 3123R H6327均从Infineon代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！

Infineon

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