深圳市南皇电子有限公司长期提供BSC190N12NS3GATMA1（品牌: Infineon）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：BSC190N12NS3GATMA1制造商：Infineon Technologies描述：MOSFET N-CH 120V 8.6A/44A TDSON系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：OptiMOS?零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：120V25°C时电流-连续漏极(Id)：8.6A（Ta），44A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：19 毫欧 @ 39A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 42μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：34nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2300pF @ 60VFET功能：-功率耗散（最大值）：69W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：PG-TDSON-8-1BSC190N12NS3GATMA1均从Infineon代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
