深圳市南皇电子有限公司长期提供BSC750N10ND G（品牌: Infineon）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
Infineon英飞凌公司完整型号：BSC750N10ND G制造厂家名称：Infineon Technologies描述：MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON系列：OptiMOS?FET 类型：2 个 N 沟道（双）FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：100V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：13A不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：75 毫欧 @ 13A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 12μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：11nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：720pF @ 50V功率 - 最大值：26W安装类型：表面贴装封装/外壳：8-PowerVDFN供应商器件封装：PG-TDSON-8（5.15x6.15）BSC750N10ND G均从Infineon代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
