深圳市南皇电子有限公司长期提供BSO615N G（品牌: Infineon）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
Infineon英飞凌公司完整型号：BSO615N G制造厂家名称：Infineon Technologies描述：MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC系列：SIPMOSFET 类型：2 个 N 沟道（双）FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：60V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2.6A不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：150 毫欧 @ 2.6A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 20μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：20nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：380pF @ 25V功率 - 最大值：2W安装类型：表面贴装封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装：PG-DSO-8BSO615N G均从Infineon代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
