深圳市南皇电子有限公司长期提供BSZ120P03NS3E G（品牌: Infineon）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
Infineon英飞凌公司完整型号：BSZ120P03NS3E G制造厂家名称：Infineon Technologies描述：MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8系列：OptiMOS?FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：11A（Ta），40A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：12 毫欧 @ 20A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.9V @ 73μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：45nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3360pF @ 15V功率 - 最大值：2.1W安装类型：表面贴装封装/外壳：8-PowerTDFN供应商器件封装：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）BSZ120P03NS3E G均从Infineon代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
