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图片信息
FS45MR12W1M1B11BOMA1图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:FS45MR12W1M1B11BOMA1
  • 原始制造厂商:Infineon,英飞凌
  • 技术标准参数:MOSFET MODULE 1200V 50A
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 点击此处下载FS45MR12W1M1B11BOMA1的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:FS45MR12W1M1B11BOMA1
  • 制造商:Infineon Technologies
  • 描述:MOSFET MODULE 1200V 50A
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 产品系列:CoolSiC?+
  • 零件状态:有源
  • FET类型:6 N-沟道(3 相桥)
  • FET功能:碳化硅(SiC)
  • 漏源电压(Vdss):1200V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):25A(Tj)
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):45 毫欧 @ 25A,15V(标准)
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):5.55V @ 10mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):62nC @ 15V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1840pF @ 800V
  • 功率-最大值:20mW(Tc)
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:底座安装
  • 封装:模块
  • FS45MR12W1M1B11BOMA1均从Infineon代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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