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图片信息
IGC18T120T8QX1SA1图片
基本技术信息:
  • 电子器件型号:IGC18T120T8QX1SA1
  • 原始制造厂商:Infineon,英飞凌
  • 技术标准参数:IGBT 1200V 15A DIE
  • 产品应用分类:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 点击此处下载IGC18T120T8QX1SA1的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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  • 技术参数详解:
  • 制造商产品型号:IGC18T120T8QX1SA1
  • 制造商:Infineon Technologies
  • 描述:IGBT 1200V 15A DIE
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:TrenchStop?
  • 零件状态:有源
  • IGBT类型:沟槽型场截止
  • 电压-集射极击穿(最大值):1200V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):-
  • 电流-集电极脉冲(Icm):45A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.42V @ 15V,15A
  • 功率-最大值:-
  • 开关能量:-
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:-
  • 25°C时Td(开/关)值:-
  • 测试条件:-
  • 反向恢复时间(trr):-
  • 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:模具
  • IGC18T120T8QX1SA1均从Infineon代理或经过认证的可靠渠道采购,长期充足现货,确保原装正品!
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