IKW30N65ET7XKSA1（Infineon）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：IKW30N65ET7XKSA1

原始制造厂商：Infineon，英飞凌

技术标准参数：IKW30N65ET7XKSA1

产品应用分类：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

点击此处下载IKW30N65ET7XKSA1的原厂技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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技术参数详解：

制造商产品型号：IKW30N65ET7XKSA1

制造商：Infineon Technologies

描述：IKW30N65ET7XKSA1

系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

产品系列：Automotive, AEC-Q101, TrenchStop?

零件状态：有源

IGBT类型：沟槽型场截止

电压-集射极击穿（最大值）：650V

电流-集电极(Ic)（最大值）：30A

电流-集电极脉冲(Icm)：90A

不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.65V @ 15V，30A

功率-最大值：188W

开关能量：590μJ（开），500μJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：180nC

25°C时Td（开/关）值：20ns/245ns

测试条件：400V，30A，10 欧姆，15V

反向恢复时间(trr)：80ns

工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

封装：TO-247-3

IKW30N65ET7XKSA1均从Infineon代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！

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