IMBF170R1K0M1XTMA1（Infineon）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：IMBF170R1K0M1XTMA1

原始制造厂商：Infineon，英飞凌

技术标准参数：SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

点击此处下载IMBF170R1K0M1XTMA1的原厂技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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技术参数详解：

制造商产品型号：IMBF170R1K0M1XTMA1

制造商：Infineon Technologies

描述：SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：CoolSiC?

零件状态：有源

FET类型：N 通道

技术：SiCFET（碳化硅）

漏源电压（Vdss）：1700V

25°C时电流-连续漏极(Id)：5.2A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：12V，15V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1000毫欧 @ 1A，15V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：5.7V @ 1.1mA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：5nC @ 12V

Vgs（最大值）：+20V，-10V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：275pF @ 1000V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：68W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：-

器件封装：PG-TO263-7

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