深圳市南皇电子有限公司长期提供IMBG120R090M1HXTMA1（品牌: Infineon）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：IMBG120R090M1HXTMA1制造商：Infineon Technologies描述：TRANS SJT N-CH 1.2KV 26A TO263系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：CoolSiC?零件状态：有源FET类型：N 通道技术：SiC（碳化硅结晶体管）漏源电压（Vdss）：1.2kV25°C时电流-连续漏极(Id)：26A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：125 毫欧 @ 8.5A，18V不同Id时Vgs(th)（最大值）：5.7V @ 3.7mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：23nC @ 18VVgs（最大值）：+18V，-15V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：763pF @ 800VFET功能：标准功率耗散（最大值）：136W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：PG-TO263-7-12IMBG120R090M1HXTMA1均从Infineon代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
