深圳市南皇电子有限公司长期提供IMW120R350M1HXKSA1（品牌: Infineon）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：IMW120R350M1HXKSA1制造商：Infineon Technologies描述：SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：CoolSiC?零件状态：有源FET类型：N 通道技术：SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss）：1.2kV25°C时电流-连续漏极(Id)：4.7A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：15V，18V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：455 毫欧 @ 2A，18V不同Id时Vgs(th)（最大值）：5.7V @ 1mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：5.3nC @ 18VVgs（最大值）：+23V，-7V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：182pF @ 800VFET功能：-功率耗散（最大值）：60W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：PG-TO247-3-41IMW120R350M1HXKSA1均从Infineon代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
