深圳市南皇电子有限公司长期提供IPB025N10N3 G（品牌: Infineon）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
Infineon英飞凌公司完整型号：IPB025N10N3 G制造厂家名称：Infineon Technologies描述：MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7系列：OptiMOS?FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：100V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：180A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：2.5 毫欧 @ 100A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 275μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：206nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：14800pF @ 50V功率 - 最大值：300W安装类型：表面贴装封装/外壳：TO-263-7，D2Pak（6 引线+接片），TO-263CB供应商器件封装：PG-TO263-7IPB025N10N3 G均从Infineon代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
