深圳市南皇电子有限公司长期提供IPB042N10N3GE8187ATMA1（品牌: Infineon）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：IPB042N10N3GE8187ATMA1制造商：Infineon Technologies描述：MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：OptiMOS?零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：100V25°C时电流-连续漏极(Id)：100A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.2 毫欧 @ 50A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 150μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：117nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：8410pF @ 50VFET功能：-功率耗散（最大值）：214W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：D2PAK（TO-263AB）IPB042N10N3GE8187ATMA1均从Infineon代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
