深圳市南皇电子有限公司长期提供IPB60R190P6ATMA1（品牌: Infineon）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：IPB60R190P6ATMA1制造商：Infineon Technologies描述：MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：CoolMOS? P6零件状态：停产FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：600V25°C时电流-连续漏极(Id)：20.2A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：190 毫欧 @ 7.6A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 630μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：37nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1750pF @ 100VFET功能：-功率耗散（最大值）：151W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：D2PAK（TO-263AB）IPB60R190P6ATMA1均从Infineon代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
