IPB80N06S2L07ATMA1（Infineon）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：IPB80N06S2L07ATMA1

原始制造厂商：Infineon，英飞凌

技术标准参数：MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

点击此处下载IPB80N06S2L07ATMA1的原厂技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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技术参数详解：

制造商产品型号：IPB80N06S2L07ATMA1

制造商：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：OptiMOS?

零件状态：停产

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：55V

25°C时电流-连续漏极(Id)：80A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6.7 毫欧 @ 60A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 150μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：130nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3160pF @ 25V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：210W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

器件封装：PG-TO263-3-2

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