IPD60R380E6ATMA2（Infineon）-深圳市南皇电子有限公司

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图片信息

基本技术信息：

电子器件型号：IPD60R380E6ATMA2

原始制造厂商：Infineon，英飞凌

技术标准参数：MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

点击此处下载IPD60R380E6ATMA2的原厂技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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技术参数详解：

制造商产品型号：IPD60R380E6ATMA2

制造商：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：CoolMOS?

零件状态：停产

FET类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：600V

25°C时电流-连续漏极(Id)：10.6A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：380 毫欧 @ 3.8A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 300μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：32nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：700pF @ 100V

FET功能：超级结

功率耗散（最大值）：83W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

器件封装：PG-TO252-3

IPD60R380E6ATMA2均从Infineon代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！

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