深圳市南皇电子有限公司长期提供IPD60R600P7ATMA1（品牌: Infineon）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
制造商产品型号：IPD60R600P7ATMA1制造商：Infineon Technologies描述：MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：CoolMOS? P7零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：650V25°C时电流-连续漏极(Id)：6A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：600 毫欧 @ 1.7A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 80μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：9nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：363pF @ 400VFET功能：-功率耗散（最大值）：30W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：PG-TO252-3IPD60R600P7ATMA1均从Infineon代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
