深圳市南皇电子有限公司长期提供IPI111N15N3 G（品牌: Infineon）充足现货订购、免费样品
技术参数详解：
Infineon英飞凌公司完整型号：IPI111N15N3 G制造厂家名称：Infineon Technologies描述：MOSFET N-CH 150V 83A TO262-3系列：OptiMOS?FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：150V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：83A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：11.1 毫欧 @ 83A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 160μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：55nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3230pF @ 75V功率 - 最大值：214W安装类型：通孔封装/外壳：TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA供应商器件封装：PG-TO262-3IPI111N15N3 G均从Infineon代理或经过认证的可靠渠道采购，长期充足现货，确保原装正品！
